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三星电子近期通过公开招标方式,计划出售约123台半导体制造设备,其中西安工厂86台、韩国工厂37台。 这批设备主要为90nm至65nm成熟制程的晶圆制造工具,涵盖沉积、刻蚀、清洗、检测等环节,还包括部分8英寸设备。 值得注意的是,三星此次出售的资产中,部分设备仍在运行但计划于2026年前拆除,三星已启动预售以提前锁定买家。 设备出售的核心背景是西安工厂NAND闪存工艺的全面升级——该工厂承担了三星约40%的NAND总产量,也是其唯一的海外存储芯片生产基地。 目前,三星已停止在西安工厂生产128层V6 NAND,取而代之的是236层V8 NAND并已实现量产。 据多家媒体报道,西安工厂的制程升级始于2024年,旨在改造原有V6生产线,以满足AI时代对高性能存储设备的需求。 在V8量产后,三星西安工厂的下一步瞄准了286层堆叠的V9 NAND,相关生产线位于X2工厂,计划在2026年内完成过渡并实现量产。 更长远的目标是超过400层的V10 NAND,三星已为此规划了清晰的路线图,预计在2026年推出。 在资金投入方面,据G-enews援引监管文件和行业数据,三星2025年在西安NAND闪存生产线投资4654亿韩元(约合3.2亿美元),较上年增长67.5%。 需要提及的是,三星加速转型的背后,是AI基础设施对高性能存储的饥渴需求——企业级SSD需要更高密度、更低功耗的NAND,200层以上的技术壁垒构成了三星与后来者之间的护城河。 与此同时,长江存储等中国本土存储厂商正在快速发展。据公开资料显示,长江存储已稳定大规模生产270层3D NAND,并计划在2026年底前获得15%的全球销量份额。 |
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